TSM9N90ECI C0G
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

TSM9N90ECI C0G

Product Overview

المُصنّع:

Taiwan Semiconductor Corporation

رقم الجزء DiGi Electronics:

TSM9N90ECI C0G-DG

وصف:

MOSFET N-CH 900V 9A ITO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 900 V 9A (Tc) 89W (Tc) Through Hole ITO-220AB

المخزون:

12895345
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

TSM9N90ECI C0G المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Taiwan Semiconductor
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
900 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2470 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
89W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
ITO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
رقم المنتج الأساسي
TSM9

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
TSM9N90ECI C0G-DG
TSM9N90ECIC0G

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
taiwan-semiconductor

TSM4459CS RLG

MOSFET P-CHANNEL 30V 17A 8SOP

diodes

DMP4015SPS-13

MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8

diodes

DMTH10H015SPSQ-13

MOSFET N-CH 100V PWRDI5060

diodes

DMP45H4D9HK3-13

MOSFET P-CH 450V 4.7A TO252